国家第三代半导体技术创新中心(湖南)揭牌。　湖南省科技厅供图

　　中新网长沙11月19日电(向一鹏 文静)国家第三代半导体技术创新中心(湖南)(下称“国创湖南中心”)揭牌仪式19日在长沙举行，湖南省人民政府副省长陈飞出席仪式并为中心揭牌。

　　当前，新一轮科技革命和产业变革纵深推进，信息化、智能化快速发展，发展第三代半导体已进入支撑国家战略、重塑全球半导体产业技术格局的关键机遇期。国创湖南中心旨在瞄准第三代半导体装备前沿技术和产业关键技术，搭建技术研发和产业化孵化平台，推动中国第三代半导体产业装备自主可控高质量发展。

　　湖南省科技厅副厅长鲁先华介绍，湖南的第三代半导体产业具有深厚基础并形成显著产业集聚态势，成为湖南打造具有核心竞争力的科技创新高地的重点布局方向之一，工程机械、轨道交通、新能源汽车等优势产业对第三代半导体技术需求旺盛，为发展半导体产业提供了巨大市场。

　　今年3月，中国科学技术部批复支持第三代半导体国家技术创新中心建设，旨在统筹全国科技力量，建设世界一流的研发中试平台和科技服务共享平台。批复中明确支持由中国电子科技集团有限公司作为建设主体联合相关单位落实各项建设任务。

　　中国电科副总经理杨军在视频致辞中指出，中国电科致力于紧密协同国内高校、科研院所、龙头企业等产学研用各方力量，努力把创新中心建成、建好、建出成效。中国电科第四十八研究所作为国家唯一布局的半导体工艺设备研究所，在第三代半导体领域具有独特优势，必将有助于产业集聚、产业链协同，打造具有国际影响力的第三代半导体装备创新高地，支撑湖南装备制造产业升级。

　　中国电科第四十八研究所所长王平表示，国创湖南中心将围绕新一代信息产业结构调整和创新发展需求，促进各类创新主体和创新要素协同，构建产学研相结合的创新体系，联合打好关键核心技术攻坚战，突破第三代半导体装备领域关键共性技术，打通“科学变技术、技术变产品、产品变产业”创新链，建设共性技术研发和产业化技术研究平台，助推中国第三代半导体产业创新能力整体跃升。

　　揭牌仪式上，国创湖南中心共建单位完成了《国创湖南中心共建协议》签约。共建单位将紧扣国家重大战略和区域科技需求，聚焦共性技术和重大瓶颈，从源头技术供给着手，整合创新要素，突破核心技术，支撑第三代半导体产业向中高端迈进。(完)